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BF862,215 PDF下载
- 大小：82K
- 厂家：NXP Semiconductors
- 描述： JET, N CH, 20V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-20V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:10mA to 25mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.2V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Max:25mA; Current Idss Min:10mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel
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